Etude des defauts cristallins et des proprietes physiques associees dans cdte et ses alliages avec znte, mnte
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Auteur / Autrice : | Kamel Guergouri |
Direction : | Michel Fayard |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1987 |
Etablissement(s) : | Paris 6 |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Physique
Etat condense
Proprietes mecaniques et thermiques
Defaut cristallin
Substitution
Compose mineral
Semiconducteur
Metal transition compose
Dislocation
Methode bridgman
Structure cellulaire
Croissance cristalline
Etude experimentale
Cadmium tellurure
Cadmium zinc tellurure mixte
Cadmium manganese ii tellurure mixte
Crystal defect
Substitution
Inorganic compound
Semiconductor materials
Transition metal compounds
Dislocation
Bridgman method
Cell structure
Crystal growth
Experimental study
Cadmium tellurides
Cadmium zinc tellurides mixed
Cadmium manganese ii tellurides mixed
Résumé
FR
Etude de l'amelioration de cdte dans le cadre de la recherche de semiconducteurs de bonne qualite cristalline. Le premier parametre necessaire a cette amelioration et celui de la substitution de cd par zn (impurete isoelectronique et permet la reduction de la densite de dislocations d'un facteur 10. Proposition d'un modele de durcissement d'alliage pour expliquer ce phenomene. Le 2eme parametre concerne la recherche des conditions de croissance optimales