Etude des performances des technologies hcmos 3 et hcmos 4

par Habri Dekhissi

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Daniel Etiemble.

Soutenue en 1987

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Utilisant les regles de dessin simplifiees des technologies hcmos 3 (lambda = 0,8mu m) et hcmos 4 (lambda = 0,5mu m) du leti-ceng grenoble, dans cette these nous examinerons plusieurs aspects: les relations, regles de dessin densite d'integration )dek) pour differentes implantations de l'additionneur 3 bits reboucle, nous evaluerons l'impact de chaque regle de dessin sur la densite d'integration; les relations, choix de circuiterie, performance electrique, densite d'integration: pour differentes implantations de l'additionneur 3 bits reboucles (vrai cmos- dcvs- pla biphase- pla monophase), nous comparons la vitesse, la puissance dissipee et la surface: la premiere partie correspond a cette introduction. La seconde partie caracterise les circuits cmos et presente les performances des portes de base. La troisieme partie presente 4 versions de l'additionneur 3 bits reboucle (cmos complementaire, dcvs, pla 2 phases et pla monophase). La quatrieme partie compare les differentes versions du cmos entre elles et avec d'autres versions bipolaires et gaas


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Informations

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1987
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