Epitaxie par la methode des organometalliques d'heterostructures gaas/gaalas a application en hyperfrequence

par ERIC BARBIER

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de FRANCIS GILLETTA.

Soutenue en 1987

à Orléans .

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  • Résumé

    Croissance reproductible de materiaux de haute purete qui se caracterisent dans le cas de gaas par une concentration en impuretes residuelles voisine de e14 porteurs par cm**(3), une mobilite electronique a 77k superieur a 110. 000 cm**( non2)v. S et dans le cas du gaalas par un niveau de dopage residuel de e15 porteurs par cm**(3) pour une teneur en aluminium de 25%. La caracterisation des interfaces par microscopie demontrent la croissance reproductibles d'heterojonctions aux transitions de l'ordre de la monocouche


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  • Détails : 190 P.
  • Annexes : 99 REF

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