Epitaxie par la methode des organometalliques d'heterostructures gaas/gaalas a application en hyperfrequence

par Eric Barbier

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Francis Gilletta.

Soutenue en 1987

à Orléans .


  • Résumé

    Croissance reproductible de materiaux de haute purete qui se caracterisent dans le cas de gaas par une concentration en impuretes residuelles voisine de e14 porteurs par cm**(3), une mobilite electronique a 77k superieur a 110. 000 cm**( non2)v. S et dans le cas du gaalas par un niveau de dopage residuel de e15 porteurs par cm**(3) pour une teneur en aluminium de 25%. La caracterisation des interfaces par microscopie demontrent la croissance reproductibles d'heterojonctions aux transitions de l'ordre de la monocouche

  • Titre traduit

    Metalorganic vapor phase epitaxy of gaa nonsalgaas microwave heterostructures


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  • Cote : TS 19-1987-3

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  • PEB soumis à condition
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