Spectroscopie des défauts associés à l'épitaxie de GaAs et (GaAl)As sous jets moléculaires

par Aboubaker Chedikh Beye

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Gérard Neu.

Soutenue en 1987

à Nice .


  • Résumé

    AÉtude par photoluminescence, spectrométrie d'excitation et mesures magnéto-optiques ; influence des principaux paramètres de la croissance sur les propriétés des couches et notamment sur l'incorporation des impuretés. Étude détaillée des défauts de croissance complexes et en particulier des émissions excitoniques associées dans le domaine 1,504-1,511EV ; les caractères de l'exciton lié au défaut complexe G indiquent que ce défaut est associé à l'accepteur majoritaire (C ou Be). Importance du potentiel courte portée du défaut, modèle d'association accepteur-impureté isoelectronique. Analyse des autres raies d'émission, identification et caractérisation de quatre systèmes excitoniques lies a des centres distincts. Interprétation par un modèle d'exciton isoelectronique en symétrie cubique ou plus basse


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Informations

  • Détails : 1 vol. (152 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 142-152. Résumé en français

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  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 87NICE4138
  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 87NICE4138BIS
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