Diodes schottky sur silicium amorphe hydrogene : caracterisations, densite d'etats localises

par Tahar Abachi

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de GUY GOUVEAUX.

Soutenue en 1987

à Nantes .

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  • Résumé

    Des couches minces de silicium amorphe hydrogene deposees par decharge plasma ont ete caracterisees par mesures d'absorptions optique, ir, de spectroscopie d'electrons (esca xps), de resistivite et de pouvoir thermoelectrique ainsi que par etude de diodes schottky


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Informations

  • Détails : 227 P.
  • Annexes : 65 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Nantes. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 87 NANT 2006
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