Etude comparée de la croissance de nitrures et oxydes de Si amorphes et des interactions de surface Si/gaz

par Lucien Kubler

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Dominique Bolmont.

Soutenue en 1987

à Mulhouse .


  • Résumé

    Interaction de si avec les gaz NH3, O2 ou NO2. Etude des surfaces par photoémission X et UV. Elaboration de couches minces SIOx, SINx et SIOxNy déposées à basse température de support par évaporation réactive de Si en présence de molécules non activées O2 , NH3 et NO2. Détermination de la microstructure des couches, et rôle du bombardement ionique lors de la croissance. Etude de l'adsorption de l'ammoniac sur des surfaces propres de Si. Comparaison entre les modes de croissance des différentes couches en définissant des expositions, des recouvrements, et des coefficients de collage dynamiques

  • Titre traduit

    Amorphous silicon nitride and oxide film depositions and Si/gas surface interactions : a comparative study


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