Préparation et caractérisation d'AlSb massif et de diodes Au-AlSb (p)

par Shatha Sadiq

Thèse de doctorat en Sciences

Sous la direction de André Joullie.

Soutenue en 1987

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Preparation du semiconducteur alsb par croissance bridgman; caracterisation par effet hall et mesure de resistivite. Determination de la structure de bande par electroreflexion. L'etude des diodes schottky au-alsb(p) montre que le contact se comporte comme une structure mis avec une couche interfaciale isolante de 70 a d'epaisseur et une densite d'etats de surface de 5 x 10**(11) cm**(-2) cv**(-1)

  • Titre traduit

    Preparation and characterization of bulk alsb and au-alsb(p) diodes


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Informations

  • Détails : [6], 123 p
  • Annexes : Notes bibliogr.

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