Passivation de InP par sulfuration plasma HF pour la formation de l'isolant de grille d'un transistor MISFET

par Michel Gendry

Thèse de doctorat en Sciences

Sous la direction de Louis Cot.

Soutenue en 1987

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    On utilise la sulfuration assistee par plasma hf pour la passivation du inp a basse temperature car l'interface n'est thermochimiquement stable que si elle est formee au dessous d'une temperature de 315**(o)c. On demontre le caractere dualiste des mecanismes de croissance et de bombardement ionique d'une couche de sulfure au contact d'une decharge electroluminescente de h::(2)s. Des modeles, resultant de caracterisationspar spectroscopie xps, ellipsometrie, ect. , sont proposes pour rendre compte de la composition des couches de sulfure formees en fonction des conditions de plasma hf de h::(2)s. On etudie les proprietes electriques de l'interface sulfure plasma inp sur des structures mis en vue de la realisation de transistors misfet-inp

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  • Détails : [9], 255 f

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  • Cote : TS 87.MON-196
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