L'interface semiconducteur/solution. Cas des semiconducteurs à densité d'impuretés ionisables élevée. Application à l'oxyde de nickel lithiné Li(x)Ni(1-x)O

par Jean-Pierre Bigot

Thèse de doctorat en Sciences

Sous la direction de Bernard Pistoulet.

Soutenue en 1987

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Ce travail développe une approche globale du problème de l'interface entre une solution électrolytique et un semiconducteur doté d'une densité d'impuretés ionisables élevée (environ 10²º/cm³). L'épaisseur réduite de la zone de charge d'espace, l'influence de la couche d'Helmhotz et l'existence de niveaux profonds sont étudiées. Une expression très générale de la capacité de charge d’espace en présence de niveaux profonds est établie. Cette approche est appliquée au cas de l’oxyde de nickel lithiné Li(x)Ni(1-x)O et conduit à une explication originale du comportement de l’interface.

  • Titre traduit

    The semiconductor/solution interface. Case of the semiconductors with a high density of ionizable impurities. Application to lithiated nickel oxide


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 1 vol. (142 p.)
  • Annexes : Bibliographie pages 136-139

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 87.MON-89
  • Bibliothèque : Ecole nationale supérieure des mines. Centre de documentation et d'information.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 537.622 BIG (SPIN)

Cette version existe également sous forme de microfiche :

  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : MF-1987-BIG
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.