Simulation bidimensionnelle du transistor à effet de champ AsGa à grille submicronique : application à l'optimisation des composants faible bruit

par Frédéric Héliodore

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de Georges Salmer.

Soutenue en 1987

à Lille 1 .


  • Résumé

    Un modèle de résolution bidimensionnelle qui permet une description précise des divers phénomènes intervenant dans le fonctionnement du TEC à grille submicronique. Ce modèle a permis d'analyser les influences du profil de dopage de la couche active, des phénomènes de surface et d'interface couche active-substrat semi-isolant, et de préciser l'intérêt de nouvelles structures à canal enterré (buried channel)

  • Titre traduit

    Two dimensional simulation of submicrogate gaas field effect transistors : optimization of low noise devices


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Informations

  • Détails : 1 vol. (156-[13] f.-[21] f. de pl.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1987-181
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