CONTRIBUTION A L'ETUDE DE CERTAINS ELEMENTS DE TRANSITION DANS LES SEMICONDUCTEURS PAR METHODE DE PHOTOCONDUCTIVITE (GaAs:V, Si:Au, Si:Pt)

par Annick Brilhault

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Jean-Pierre Peyrade.

Soutenue en 1987

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    ETUDE DE TROIS ELEMENTS DE TRANSITION DANS LES SEMICONDUCTEURS PAR PHOTOCONDUCTIVITE. 1)GaAs: NOUS PROPOSONS UN NIVEAU SCHEMA D'ENERGIE. UN NIVEAU SIMPLE ACCEPTEUR (V)**(O)/(V)**(-) A E::(C)-0,16 EV ET UN NIVEAU DOUBLE ACCEPTEUR (V)-/(V)-- A Ec- 0,65 eV. 2)Si:Au NOUS CONFIRMONS LES POSITIONS RESPECTIVES DES NIVEAUX DONNEUR ET ACCEPTEUR LIES A L'OR A Ev + 0,35 eV ET Ev + 0,63 eV. 3)Si:Pt LES EXPERIENCES REALISEES ONT MIS EN EVIDENCE LE NIVEAU ACCEPTEUR (o/-) DU PLATINE SUBSTITUTIONNEL A UNE ENERGIE DE 0,915 eV PAR RAPPORT A LA BANDE DE VALENCE


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Informations

  • Détails : 140 P.
  • Annexes : 80 REF

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1987/054/BRI
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