ETUDE DES PREMIERES ETAPES DE LA CROISSANCE PAR JETS MOLECULAIRES SUR LES SYSTEMES HETEROEPITAXIAUX GaAs-(Ca, Sr)F2 ET GaAs/Si

par Jean Castagné

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Antonio Muñoz Yagüe.


  • Résumé

    PREPARATION DES SUPPORTS GaAs ET Si. DEPOT DE (Ca, Sr)F2 SUR GaAs (ACCOMMODATION DES RESEAUX) ET SUR SI (DESACCOMMODATION = 5%) ET ETUDE DU MODE DE CROISSANCE PAR SPECTROMETRIE AUGER ET DIFFRACTION RHEED. PUIS ETUDE DE LA REPRISE DE CROISSANCE DE GAAS SUR (Ca, Sr)F2 OU SUR Si EN DEPOSANT D'ABORD UNE FINE COUCHE GaAs AMORPHE QUE L'ON RECUIT. LE MODE DE CROISSANCE, QUI EST TRIDIMENSIONNEL DANS DES CONDITIONS STANDARD, TEND ALORS VERS UN MECANISME 2D ET L'ETUDE RHEED PERMET D'ETABLIR LA QUALITE CRISTALLOGRAPHIQUE DES PREMIERES COUCHES GaAs AINSI ELABOREES


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  • Détails : 131 P.
  • Annexes : 120 REF

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  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1987/052/CAS
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