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des thèses françaises
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Oxydation photo-assistee du silicium par laser au co2 continu et contribution a l'etude des couches de silice obtenues
FR |
EN
| Auteur / Autrice : | Annie Guedj |
| Direction : | Gérard Sarrabayrouse |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Électronique |
| Date : | Soutenance en 1987 |
| Etablissement(s) : | Toulouse, INSA |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Electronique
Fabrication microelectronique
Oxydation
Silicium
Couche mince
Silice
Thermochimie
Faisceau laser
Mesure temperature
Etat surface
Pyrometrie
Prechauffage
Controle fabrication
Propriete electrique
Caracteristique capacite tension
Epaisseur
Controle automatique
Caracteristique courant tension
Absorption ir
Mode vibration
Stoechiometrie
Porosite
Masse volumique
Croissance cristalline
Dopage
Microelectronic fabrication
Oxidation
Silicon
Thin film
Silica
Thermochemistry
Laser beam
Temperature measurement
Surface conditions
Pyrometry
Preheating
Processing control
Electrical properties
Voltage capacity curve
Thickness
Automatic monitoring
Voltage current curve
Infrared absorption
Vibrational mode
Stoichiometry
Porosity
Density
Crystal growth
Doping
Résumé
FR
Les caracteristiques de ''l'oxyde laser'' obtenu sont etudiees: 1)grace au controle de temperature par pyrometrie en ce qui concerne la cinetique de croissance. 2) a partir de mesures c(v) et i(v) en ce qui concerne les proprietes electriques. 3) par spectrometrie ir en ce qui concerne les proprietes physiques. Ces caracteristiques sont ensuite comparees a celles de l'oxyde thermique conventionnel. Enfin, par la realisation de transistors m. O. S. A ''oxyde laser'' (oxyde de grille), nous avons montre que ce mode d'oxydation assistee par laser peut etre utilise dans les technologies m. O. S.