Oxydation photo-assistee du silicium par laser au co2 continu et contribution a l'etude des couches de silice obtenues

par Annie Guedj

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Gérard Sarrabayrouse.

Soutenue en 1987

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    Les caracteristiques de "l'oxyde laser" obtenu sont etudiees: 1)grace au controle de temperature par pyrometrie en ce qui concerne la cinetique de croissance. 2) a partir de mesures c(v) et i(v) en ce qui concerne les proprietes electriques. 3) par spectrometrie ir en ce qui concerne les proprietes physiques. Ces caracteristiques sont ensuite comparees a celles de l'oxyde thermique conventionnel. Enfin, par la realisation de transistors m. O. S. A "oxyde laser" (oxyde de grille), nous avons montre que ce mode d'oxydation assistee par laser peut etre utilise dans les technologies m. O. S.

  • Titre traduit

    Silicon oxidation photoassisted with a cw-co2 laser beam and contribution to the study of silica layers


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  • Détails : 170 P.
  • Annexes : 129 REF

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  • Cote : C-GUE
  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1987/178/GUE
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