Etude des defauts electriquement actifs induits par le recuit rapide isotherme dans le silicium

par Mohamed Remram

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de LAUGIER.

Soutenue en 1987

à Lyon, INSA .

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  • Résumé

    Etude, par spectrometrie transitoire de niveau profond, des defauts electriquement actifs introduits par le recuit rapide isotherme dans le silicium pur ou implante. Trois niveaux pieges ont ete observes dans si dope par le bore et recuit entre 850 et 1050c. L'implantation par as**(+) ou pf**(+)::(5) change le niveau d'un de ces pieges. Un piege a electrons a ete detecte dans le cas d'une forte dose d'ions as, pour des temperatures de recuit de 1100c

  • Titre traduit

    Defect states analysis induced by fast thermal annealing in silicon


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Informations

  • Détails : 105 P.
  • Annexes : 73 REF

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  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(918)
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