Contribution à l'étude de la diffusion d'impuretés dans le silicium sous oxydation : rôle des contraintes

par Emmanuel Scheid

Thèse de doctorat en Systèmes électroniques

Sous la direction de Pierre Chenevier.

Soutenue en 1987

à Grenoble I.N.P.G. .

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  • Résumé

    Analyse des insuffisances des theories relatives a la diffusion des impuretes et a l'evolution des defauts d'empilement sous contrainte. L'introduction de la diffusion couplee des defauts ponctuels permet de decrire l'expansion 3d de l'effet d'oed-ord

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 87/INPG/0075
  • Bibliothèque : Phelma. Bibliothèque.
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