Contribution à l'étude du dopage et de la recombinaison dans le silicium amorphe hydrogéné

On doping and recombination in hydrogenated amorphous silicon

• Auteur / Autrice : Frédéric Vaillant
• Direction : Jean-Claude Bruyère
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Microélectronique
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Grenoble 1

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes electriques

Magnetiques

Optiques

Conductivite electrique

Photoconductivite

Absorption optique

Recombinaison porteur charge

Etude experimentale

Compose mineral

Etat amorphe

Preparation

Systeme hydrogene silicium

Electrical conductivity

Photoconductivity

Optical absorption

Charge carrier recombination

Experimental study

Inorganic compound

Amorphous state

Preparation

Résumé

Effet de l'introduction de diborane et de phosphine dans le melange gazeux depose par decharge electroluminescente a 50 h::(3). Caracterisation par methode optique dans le visible et l'ir, deflexion photothermique, conductivite et photoconductivite stationnaire. Variation avec le dopage de proprietes electriques. Proposition d'un nouveau modele de recombinaison