Contribution à l'étude du dopage et de la recombinaison dans le silicium amorphe hydrogéné

par Frédéric Vaillant

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de J. C. BRUYERE.

Soutenue en 1987

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

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  • Résumé

    Effet de l'introduction de diborane et de phosphine dans le melange gazeux depose par decharge electroluminescente a 50 h::(3). Caracterisation par methode optique dans le visible et l'ir, deflexion photothermique, conductivite et photoconductivite stationnaire. Variation avec le dopage de proprietes electriques. Proposition d'un nouveau modele de recombinaison


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  • Détails : 159 p

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  • Cote : TS 87/GRE1/0058
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