Formation à basse température et nouvelles techniques de caractérisations [sic] du disiliciure de tungstène WSi2

par Mohammed Kadri

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Alain Deneuville.

Soutenue en 1987

à Grenoble 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le disiliciure wsi::(2) pour la metallisation d'un circuit vlsi (contacts et lignes d'interconnexion) est forme a une temperature aussi basse que possible en utilisant la structure "sandwich" a-si: h(150 a)/w(110 a)/a-si: h(540 a)/c-si implantee par des ions a faible courant et a temperature ambiante. La concentration residuelle d'oxygene dans les couches de w et de a-si:h et a leur interface a une influence decisive sur la formation et la resistivite de wsi::(2). Les plus faibles temperatures de formation de wsi::(2) atteintes sont les plus basses, 550**(o)c apres recuit, 350**(o)c apres implantation de w puis recuit. Les resistivites sont aussi plus faible. Interet et sensibilite de la spectroscopie ir dans la caracterisation des impuretes


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  • Détails : 226 p

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 87/GRE1/0053
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