Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium

par Philippe Vendange

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Noël Magnéa.

Soutenue en 1987

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

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  • Résumé

    Mise en evidence d'un nouvel ensemble de raies dans le spectre de photoluminescence du silicium recuit a 600**(o)c pendant une centaine d'heures. Observation d'energie de localisation faible et d'une raie a zero phonon. Proposition d'un modele prenant en compte les variations de potentiel aux interfaces entre les precipites d'oxygene generes par le recuit et le substrat


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  • Détails : 110 f

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 87/GRE1/0040
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