Etude de defauts dans les semiconducteurs gaas et znte par resonance paramagnetique electronique et par resonance magnetique detectee optiquement

par Jean Bittebierre

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de RONALD COX.

Soutenue en 1987

à Grenoble 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Etude des phenomenes de compensation transformant ces semiconducteurs en semi-isolants. Dans l'arseniure, l'antisite as::(ga)**(+) est identifie comme principal defaut responsable de la compensation de l'impurete majoritaire c::(as)**(-). Le defaut elz est identifie a l'antisite as::(ga) isole qui, dans les composes fortement carbones, forme un paire associee as::(ga)**(+) et c::(as)**(-). Ces niveaux introduits dans la bande interdite permettent d'interpreter l'anomalie du niveau de fermi. Observation de nouveaux centres sous irradiation ir dont trois sont identifies comme etant des accepteurs. La resonance detectee optiquement a permis d'identifier dans znte deux accepteurs de basse symetrie


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 220 P.
  • Annexes : 82 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.