Influence de l'enrichissement superficiel en arsenic sur l'ohmicité du conact n-GaAs:In\Au

par Patrice Person

Thèse de doctorat en Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Jean-René Martin.

Soutenue en 1987

à l'Ecully, Ecole centrale de Lyon .


  • Résumé

    Presentation des differents modeles de jonctions metal-semiconducteur et explication des mecanismes de transport du courant a l'interface. On definit alors le contact ohnique et la resistance specifique de contact. On conclue quand a la faisabilite de contacts ohniques de bonne qualite apres enrichissement de la surface du substrat de n-gaas en arsenic

  • Titre traduit

    Influence of arsenic superficial enrichment on the n-gaas: in/au contact ohnicity


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  • Détails : 1 vol. (128 p.)
  • Annexes : 171 réf.

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  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T1284
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