Structure des interfaces, etude par microscopie electronique en transmission, application : materiaux semiconduteurs iii-v et multicouches pour optiques dans le domaine des rayons x mous

par Pierre Ruterana

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de ANDRE FORTINI.

Soutenue en 1987

à Caen .

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  • Résumé

    Nous avons surtout utilise le mode "haute resolution" sur un microscope a 200kv. La resolution obtenue etait de 2. 4 a. La technique de peparation d'echantillons que nous avons mise au point pour l'etude du procede de passivation (si::(3)n::(4)/gaas) nous a permis de caracteriser dans de tres bonnes conditions les multicouches pour rayons x mous et les heterostructures de croissance epitaxiale. Ce travail fut un suivi des procedes en conjugaison avec d'autres techniques de caracterisation. La comparaison des resultats de ces diverses techniques nous a permis d'apprehender la chimie et la physique des interfaces dans les materiaux etudies


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Informations

  • Détails : 198 P.
  • Annexes : 108 REF

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  • Bibliothèque : Mines ParisTech. Bibliothèque.
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  • Cote : EMP 138.040 CCL.TH.595
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