Caracterisation de structures mis par methodes electriques et par ellipsometrie spectroscopique : application au transistor a effet de champ sur inp

par Jean-Philippe Piel

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de ANDRE FORTINI.

Soutenue en 1987

à Caen .

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  • Résumé

    On caracterise a l'aide de deux techniques plusieurs types de depots d'isolants (sio::(2) et si::(3)n::(4)) sur inp susceptibles de l'integrer dans la technologie du transistor a effet champ a grille isolee. On evalue, par la mesure de l'admittance des structures mis, le profil de densite d'etats d'interface par la methode de la conductance de nicollian et goetzberger. La seconde methode, par ellipsometrie spectroscopique consiste a etudier la reponse optique de la structure isolant-semiconducteur soumis a un faisceau lumineux polarise rectilignement. On decrit en detail l'ensemble des corrections a apporter aux mesures brutes afin de tenir compte des limitations de l'instrument. Les spectres experimentaux sont interpretes a l'aide d'un modele multicouche


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Informations

  • Détails : 247 P.
  • Annexes : 55 REF

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