Developpement des methodes de spectroscopie capacitive et applications a la caracterisation de defauts d'interface et de volume dans les semiconducteurs

par Franck Murray

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de ANDRE FORTINI.

Soutenue en 1987

à Caen .

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  • Résumé

    Conditions d'utilisation de spectrometrie transitoire de niveau profond classique et optique. Cas des etats d'interface isolant-semiconducteur, effet de la densite. Etude des structures mis et mos. Dans le cas de defauts d'irradiaiton par les ions lourds de forte energie dans le silicium, trois pieges a porteurs majoritaires et six pieges a porteurs minoritaires ont ete identifies par spectrometrie transitoire de niveau profond normale et optique


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Informations

  • Détails : 100 P.
  • Annexes : 44 REF

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