Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes ga : :(x)in::(1-x)as/inp pour applications en telecommunications

Growth by metal organic vapor phase epitaxy and characterization of ga::(x)in::(1-x)as/inp abrupt heterostructures for applications in telecommunications

• Auteur / Autrice : Eric Menu
• Direction : André Fortini
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Caen

Mots clés

Mots clés contrôlés

Dépôt en phase vapeur par organométalliques

Mots clés libres

Sciences appliquees

Electronique

Photodiode

Diode couche intrinseque

Diode planaire

Diode mesa

Photoluminescence

Depot chimique phase vapeur

Compose organometallique

Heterojonction

Indium phosphure

Gallium indium arseniure mixte

Telecommunication

Photodiode

P i n diode

Planar diode

Mesa diode

Photoluminescence

Chemical vapor deposition

Organometallic compound

Heterojunction

Indium phosphides

Gallium indium arsenides mixed

Telecommunication

Résumé

On etudie les proprietes d'heterostructures a base de inp et de gainas fabriquees par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques. Les proprietes des couches sont analysees par des mesures d'effet hall, de photoluminescence a 4 k et de double diffraction des rayons x. On etudie le spectre de photoluminescence plus particulierement. Avec ces heterostructures on fabrique des photodiodes pin a structure mesa et semiplanar dont on evalue les performances