Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques et caracterisation des heterostructures abruptes ga : :(x)in::(1-x)as/inp pour applications en telecommunications

par Eric Menu

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de ANDRE FORTINI.

Soutenue en 1987

à Caen .


  • Résumé

    On etudie les proprietes d'heterostructures a base de inp et de gainas fabriquees par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques. Les proprietes des couches sont analysees par des mesures d'effet hall, de photoluminescence a 4 k et de double diffraction des rayons x. On etudie le spectre de photoluminescence plus particulierement. Avec ces heterostructures on fabrique des photodiodes pin a structure mesa et semiplanar dont on evalue les performances


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Informations

  • Détails : 1 vol. (280 p.)
  • Annexes : 298 REF

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  • Bibliothèque : Université de technologie de Belfort-Montbéliard. Bibliothèque.
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  • Cote : THESE 87 MEN
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