Depot de couches minces de tantale par pulverisation et etude des interactions ta/sio : :(2) et ta/si a basses temperatures

par Patrick Gallais

Thèse de doctorat en Sciences appliquées. Physique

Sous la direction de J. C. REMY.

Soutenue en 1987

à Angers .

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  • Résumé

    Analyse par spectrometrie auger des couches deposees par pulverisation cathodique sur des substrats de silicium ou d'oxyde de silicium pour des temperatures comprises entre 50 et 500c. Certains echantillons sont elabores en bombardant la couche durant sa formation a l'aide d'ions argon du plasma. Etude de la nature chimique des interactions entre ta et si ou sio::(2)


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  • Détails : 148 P.
  • Annexes : 83 REF

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