Etude de quelques intéractions impuretés-défauts dans du silicium polycristallin de type P.

par Hélène Poitevin

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Santo Martinuzzi.

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  • Résumé

    Etude de l'activite recombinante des defauts intragrains et d'impuretes. La diffusion d'impuretes metalliques comme le cuivre permet de diminuer la densite des centres recombinants par formation de complexes neutres avec les atomes d'oxygene et de silicium interstitiels. Un recuit de plaquettes de silicium recouvertes d'une couche d'aluminium augmente la longueur de diffusion des porteurs minoritaires, si la densite de dislocations est elevee


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Informations

  • Détails : 131 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Notes bibliogr.

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  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T 1311
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