Analyse des transitoires de capacité et des courants de fuite dans les structures MOS

par Ammar Bouhdada

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jean Oualid.

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  • Résumé

    Etude et analyse des transitoires de capacite de structures mos et des differentes composantes du courant de fuite afin de localiser les defauts initialement presents dans le substrat de silicium ou introduits au cours des differentes etapes d'elaboration d'un circuit integre


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Informations

  • Détails : 257 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p.252-257

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  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T 1212
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