Corrélation entre la composition et les propriétés électriques et optiques de l'arséniure de gallium amorphe : étude des défauts et essais de dopage

par Kamilia Sedeek El Ghammaz

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Hervé Carchano.

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  • Résumé

    Il est possible d'obtenir gaas amorphe stoechiometrique sous argon pur en deposant le materiau par pulverisation r. F. A une temperature de support ts de 290c. Caracterisation par spectroscopie raman, courants limites par charge d'espace, spectroscopie de la deflexion photothermique, mesures optiques et electriques. Influence de l'hydrogenation du materiau depose a ts50c. Le dopage de a-gaas : h montre que le soufre engendre un mecanisme de compensation qui augmente la sensibilite du materiau a la lumiere. Le tellure a un effet de dopage limite. Enfin, la modification chimique du materiau par copulverisation de molybdene fait varier la conductivite electrique de 6 ordres de grandeur


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Informations

  • Détails : 222 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Notes bibliogr.

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  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T 1216
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