Influence et passivation par l'hydrogène de défauts recombinants dans du silicium polycristallin de type P : ("Extension aux photopiles")

par Larbi Ammor

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Santo Martinuzzi.

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  • Résumé

    Determination de l'influence des dislocations sur les proprietes electriques du silicium. Mise en evidence d'une correlation entre la presence de densites elevees de dislocations, la decroissance des longueurs de diffusion des porteurs minoritaires, la presence de precipites et les concentrations de carbone depassant la limite de solubilite. Effet d'un recuit prolonge sous flux d'hydrogene moleculaire ou par implantation d'ions h**(+) pendant quelques minutes. L'importance du phenomeme de passivation par rapport a la presence de dislocations est soulignee


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Informations

  • Détails : 208 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury

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  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T 1231
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