Photorécepteur monolithique intégrant un phototransistor et des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs pour transmission par fibre optique

par Haila Wang

Thèse de doctorat en Sciences appliquées. Électronique

Sous la direction de Andrée Delattre.

Soutenue en 1986

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Ce travail présente la conception, la réalisation et la caractérisation d'un photorécepteur monolithique intégrant un phototransistor et des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs pour transmissions par fibre optique. Ce premier photorécepteur monolithique au monde intégrant des composants bipolaires à hétérojonction comprend un phototransistor, deux transistors à hétérojonction GaAlAs/GaAs et quatre résistances. La puissance minimum détectable de ce photorécepteur a été déduite des mesures du rapport signal sur bruit et de la bande passante: -30 dBm à 140 Mbit/s pour un taux d'erreur de 10-9. Ce résultat qui peut encore être amélioré est déjà parmi les meilleurs obtenus pour un circuit monolithique de photoréception applicable aux réseaux locaux de vidéocommunications par fibre optique multimode à 0,85um. Les transistors et phototransistors bipolaires à hétérojonction ont été caractérisés: Le gain en courant maximum dépasse 1000, les fréquences de transition fT des phototransistors et des transistors sont respectivement 2 GHz et 8 GHz. Les modèles de transistor et phototransistor bipolaire à hétérojonction obtenus par extraction des paramètres à partir des paramètres S permettent une conception plus rigoureuse des circuits bipolaires à hétérojonction. Des simulations utilisant ces modèles montrent que le photorécepteur a une sensibilité potentielle de -40 dBm à 140 Mbit/s pour un taux d'erreur de 10-9.

  • Titre traduit

    Monolithic photoreceiver integrating a phototransistor and AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors for optical fiber transmission


  • Résumé

    Ce travail présente la conception, la réalisation et la caractérisation d'un photorécepteur monolithique intégrant un phototransistor et des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs pour transmissions par fibre optique. Ce premier photorécepteur monolithique au monde intégrant des composants bipolaires à hétérojonction comprend un phototransistor, deux transistors à hétérojonction GaAlAs/GaAs et quatre résistances. La puissance minimum détectable de ce photorécepteur a été déduite des mesures du rapport signal sur bruit et de la bande passante: -30 dBm à 140 Mbit/s pour un taux d'erreur de 10-9. Ce résultat qui peut encore être amélioré est déjà parmi les meilleurs obtenus pour un circuit monolithique de photoréception applicable aux réseaux locaux de vidéocommunications par fibre optique multimode à 0,85um. Les transistors et phototransistors bipolaires à hétérojonction ont été caractérisés: Le gain en courant maximum dépasse 1000, les fréquences de transition fT des phototransistors et des transistors sont respectivement 2 GHz et 8 GHz. Les modèles de transistor et phototransistor bipolaire à hétérojonction obtenus par extraction des paramètres à partir des paramètres S permettent une conception plus rigoureuse des circuits bipolaires à hétérojonction. Des simulations utilisant ces modèles montrent que le photorécepteur a une sensibilité potentielle de -40 dBm à 140 Mbit/s pour un taux d'erreur de 10-9.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (225 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. en fin de parties

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1986)375
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-034384
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