Étude et réalisation de J FET GaInAs/inP pour applications microoptoélectroniques

par Lien Nguyen Ngoc

Thèse de doctorat en Sciences appliquées. Électronique

Sous la direction de Andrée Delattre.

Soutenue en 1986

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Ce mémoire présente l'étude et la réalisation de transistors à effet de champ à jonction sur GainAs/InP pour applications micro optoélectroniques : Des transistors ont été réalisés sur des couches épitaxiées par jets moléculaires. La jonction de grille est obtenue par diffusion thermique de Zn à travers un masque de nitrure de silicium. La technologie a été choisie afin de minimiser le courant inverse de grille et les éléments parasites du FET. Les dispositifs ont été caractérisés et leur comportement simulé en statique suivant une procédure automatisée sur microcalculateur. Des transistors montés en boitiers ont été mesurés en dynamique et leur schéma électrique équivalent identifié. Un photorécepteur PINFET a été conçu à la suite de cette modélisation, optimisant le seuil de détection.

  • Titre traduit

    Design and implementation of J FET GainAs/InP for microoptoelectronic applications


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Informations

  • Détails : 1 vol. (222 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1986)374
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-034383
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