Modélisation de la barriere de Schottky : établissement et comportement sous polarisation

par Guo Neng Lu

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Claude Barret.

Soutenue en 1986

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Une modélisation de l’interface métal-semiconducteur est établie en tenant compte d’états d’interface pénétrant dans le semiconducteur. La forme des bandes d’énergie et la hauteur de la barrière de Schottky sont obtenues et discutées en fonction de différents paramètres : distribution en énergie, densité, profondeur de pénétration des états ; dopage du semiconducteur ; nature du métal. Des règles d��ancrage du niveau de Fermi sont dégagées et confrontées à l’expérience sur les principaux semiconducteurs (Si, GaAs, InP). Le comportement de l’interface M-S sans polarisation électrique est ensuite décrit. La modification de la charge électrique interfaciale avec la tension appliquée est prise en compte pour expliquer les anomalies de conduction fréquemment rencontrées dans les dispositifs réels.

  • Titre traduit

    A model of Schottky barrier : setting up and behaviour under bias


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Informations

  • Détails : 1 vol. (146 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. f. 142-146

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1986)265
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