Contribution à l'élaboration d'une Gate-Array en technologie ASGA, MESFET et logique DCFL

par Bruno Rousseau

Thèse de doctorat en Électronique. Microélectronique

Sous la direction de Directeur de thèse inconnu.

Soutenue en 1986

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    L'élaboration d'une Gate-Array en arséniure de gallium, utilisant des dispositifs MESFET et appliquée à une logique DCFL, permet de cerner et d'aborder l'ensemble des problèmes liés à un tel travail. Cette conception peut être subdivisée en dix grandes étapes. Tout d'abord, une étude générale sur l'AsGa (1) qui aboutira à une étude d'une technologie appropriée (2). Puis viendra l'étude d'un modèle adapté aux simulations à effectuer (3). Il faudra ensuite définir une logique liée aux applications envisagées (4). On pourra ensuite optimaliser la logique retenue (5). Une étude des éléments parasites permettra d'en déterminer l'influence sur le comportement des circuits (6). Il sera alors temps d'aborder l'élaboration proprement dite de la gate-array en définissant ses principaux aspects (7) et en concevant complètement la plupart de ses éléments constitutifs (8).

  • Titre traduit

    Working out of a GaAs Gate-Array in technology MESFET and DCFL logic


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Informations

  • Détails : 1 vol. (417 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 405-413

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1986)249
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