Contribution à l'étude des propriétés optoélectroniques du silicium amorphe hydrogène en vue de l'application aux dispositifs photovoltaiques

par Hassen Dahman

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Joseph Baixeras.

Soutenue en 1986

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Étude, par une technique de photoconductivité, de l'influence du dopage par p sur le produit mobilite-duree de vie des électrons et sur la densité d'états dans la bande interdite de s-si: h prépare par pulvérisation cathodique réactive. Etude de l'influence des conditions de préparation sur la mobilité par une méthode de temps de vol; mise en évidence de l'activation thermique de la mobilité dans une large gamme de températures. Interprétation des résultats par un modèle de conduction, base sur l'existence de fluctuations de potentiel

  • Titre traduit

    Study of optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon with passible application to photovoltaic devices


  • Pas de résumé disponible.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (165 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. f. 163-165 (69 réf.)

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1986)213
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