Contribution à la conception de circuits intégrés AsGa : modélisation du MESFET AsGa et étude des effets de propagation et de couplage dans les CI logiques BFL AsGa : caractérisation en bruit des transistors hyperfréquence faible bruit AsGa

par Laurent Chusseau

Thèse de doctorat en Sciences appliquées. Électronique

Sous la direction de Directeur de thèse inconnu.

Soutenue en 1986

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Cette Thèse présente deux contributions à la conception de circuits intégrés AsGa. A/ L'étude des effets de propagation et de couplage dans les circuits logiques AsGa BFL sur un nouveau macrosimulateur temporel MACPRO. Ce travail comporte la mise au point d'un modèle de MESFET adapté aux circuits logiques ultrarapides puis l'évaluation des dégradations des signaux en logique BFL dues à tous les types de lignes, signal ou alimentation, simples ou couplées (Thèse de 3ème Cycle no 3862 Université Paris-Sud Orsay). B/ La conception d'un banc de mesure automatique des paramètres de bruit des transistors hyperfréquence, comprenant la réalisation d'un adaptateur d'entrée programmable et d'une méthode numérique originale d'exploitation des mesures. Outre la validation des méthodes, ce mémoire présente les résultats obtenus pour un TEGFET à grille courte

  • Titre traduit

    Contribution to AsGa integrated circuit design : modelling of asga mesfet and investigation of propagation and coupling effects in AsGa BFL logic CI noise characterization of microwave low-noise asga transistors


  • Résumé

    This work presents two contributions to the CAO of GaAs Monolithic Integrated Circuits. A/ The study of the effects of propagation and coupling on GaAs BFL logic circuits with a new time simulator : MACPRO. A MESFET model adapted to high speed digital circuits was established as well as the signal degradation in BFL circuits due to signal carrying lines as well as bias lines ( Thesis n°3862, Paris-Sud University, Orsay) b/ The design of an automatic noise measurement set up for law-noise microwave GaAs transistors. A programmable input tuner was fabricated and a new method for the numerical extraction of the four noise parameters from the measurements was validated. The results obtained for a short gate length TEGFET are included.

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