Épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures GaAl As-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires

par Jean-Louis Liévin

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Directeur de thèse inconnu.

Soutenue en 1986

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .

mots clés

• Porteurs minoritaires
• Dopant
• Transistor bipolaire
• Arséniure de gallium
• Circuits intégrés
• Épitaxie par faisceaux moléculaires
• Hétérojonctions

Résumé

Ce travail présente l’élaboration en épitaxie par jets moléculaires d’hétérostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires. La caractérisation du matériau et des hétérointerfaces est réalisée notamment par cathodoluminescence, mesures de durées de vie, et photoluminescence de puits quantiques. De très forts dopages de type p dans GaAs avec du béryllium ont été réalisés (p=2x1020cm-3). L’incorporation du dopant est discutée. Différentes structures pour le composant et l’intégration ont été épitaxiées : structures pour phototransistor à forts gains en courant (β ≥ 3000) ; structures à double hétérojonction et faible tension d’offset (∆VCE = 30 mV) ; structures à hétérojonction Ga0,72Al0,28As/Ga0,99Be0,01As et résistance de base ultra-faible (RB = 140 Ω/□).

Titre traduit

Molecular beam epitaxy of GaAl As-GaAs heterostructures for bipolar transistors and integrated circuits

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