Etude de croissance en phase vapeur aux organometalliques a pression atmospherique d'heterostructures inp/ingaasp et inp/dielectrique a grande uniformite sur substrat de deux pouces

Study of metalorganic chenmical vapor deposition at atmospheric pressure of inp/ingaasp and inp/dielectric heterostructures with large uniformity on two inchs wafers

• Auteur / Autrice : Philippe Dasté
• Direction : Jean-François Pétroff
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Paris 6

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Sciences des materiaux, rheologie

Compose mineral

Heterojonction

Couche mince

Croissance cristalline

Epitaxie

Depot chimique phase vapeur

Compose organometallique

Pression atmospherique

Uniformite

Epaisseur

Composition chimique

Interface solide solide

Etude experimentale

Dielectrique

Appareillage

Gallium indium phosphoarseniure mixte

Indium phosphure

Inorganic compound

Heterojunction

Thin film

Crystal growth

Epitaxy

Chemical vapor deposition

Organometallic compound

Atmospheric pressure

Uniformity

Thickness

Chemical composition

Solid solid interface

Experimental study

Dielectric materials

Instrumentation

Gallium indium arsenides phosphides mixed

Indium phosphides

Résumé

Presentation de la conception et de la realisation d'un nouveau type de reacteur pour l'epitaxie en phase vapeur a partir des organometalliques a pression atmospherique. Utilisation pour l'etude des heterointerfaces inp/ingaasp avec pour application les doubles heterostructures laser emettant a 1,3mu m, et pour l'etude de l'interface inp/dielectrique avec pour application les transistors m. I. S. Inp. Uniformite d'epaisseur et uniformite de composition pour le quaternaire