Thèse soutenue

Etude de croissance en phase vapeur aux organometalliques a pression atmospherique d'heterostructures inp/ingaasp et inp/dielectrique a grande uniformite sur substrat de deux pouces

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Auteur / Autrice : Philippe Dasté
Direction : Jean-François Pétroff
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique
Date : Soutenance en 1986
Etablissement(s) : Paris 6

Résumé

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Presentation de la conception et de la realisation d'un nouveau type de reacteur pour l'epitaxie en phase vapeur a partir des organometalliques a pression atmospherique. Utilisation pour l'etude des heterointerfaces inp/ingaasp avec pour application les doubles heterostructures laser emettant a 1,3mu m, et pour l'etude de l'interface inp/dielectrique avec pour application les transistors m. I. S. Inp. Uniformite d'epaisseur et uniformite de composition pour le quaternaire