Etude de croissance en phase vapeur aux organometalliques a pression atmospherique d'heterostructures inp/ingaasp et inp/dielectrique a grande uniformite sur substrat de deux pouces
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Auteur / Autrice : | Philippe Dasté |
Direction : | Jean-François Pétroff |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1986 |
Etablissement(s) : | Paris 6 |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Physique
Sciences des materiaux, rheologie
Compose mineral
Heterojonction
Couche mince
Croissance cristalline
Epitaxie
Depot chimique phase vapeur
Compose organometallique
Pression atmospherique
Uniformite
Epaisseur
Composition chimique
Interface solide solide
Etude experimentale
Dielectrique
Appareillage
Gallium indium phosphoarseniure mixte
Indium phosphure
Inorganic compound
Heterojunction
Thin film
Crystal growth
Epitaxy
Chemical vapor deposition
Organometallic compound
Atmospheric pressure
Uniformity
Thickness
Chemical composition
Solid solid interface
Experimental study
Dielectric materials
Instrumentation
Gallium indium arsenides phosphides mixed
Indium phosphides
Résumé
FR
Presentation de la conception et de la realisation d'un nouveau type de reacteur pour l'epitaxie en phase vapeur a partir des organometalliques a pression atmospherique. Utilisation pour l'etude des heterointerfaces inp/ingaasp avec pour application les doubles heterostructures laser emettant a 1,3mu m, et pour l'etude de l'interface inp/dielectrique avec pour application les transistors m. I. S. Inp. Uniformite d'epaisseur et uniformite de composition pour le quaternaire