Etude de croissance en phase vapeur aux organometalliques a pression atmospherique d'heterostructures inp/ingaasp et inp/dielectrique a grande uniformite sur substrat de deux pouces

par Philippe Dasté

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de JEAN-FRANCOIS PETROFF.

Soutenue en 1986

à Paris 6 .

mots clés

Résumé

Presentation de la conception et de la realisation d'un nouveau type de reacteur pour l'epitaxie en phase vapeur a partir des organometalliques a pression atmospherique. Utilisation pour l'etude des heterointerfaces inp/ingaasp avec pour application les doubles heterostructures laser emettant a 1,3mu m, et pour l'etude de l'interface inp/dielectrique avec pour application les transistors m. I. S. Inp. Uniformite d'epaisseur et uniformite de composition pour le quaternaire

Titre traduit

Study of metalorganic chenmical vapor deposition at atmospheric pressure of inp/ingaasp and inp/dielectric heterostructures with large uniformity on two inchs wafers

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