Deformations dans les heterostructures epitaxiees sur des substrats semiconducteurs iii-v : etude experimentale par diffraction de rayons x et simulation sur ordinateur

par SERGE BENSOUSSAN

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de MICHELE SAUVAGE-SIMKIN.

Soutenue en 1986

à Paris 6 .

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  • Résumé

    La distribution de deformation a l'interface entre une couche epitaxique d'un compose tertiaire (arseniure de al et ga par exemple) et un support semiconducteur iii-v a pu etre mise en evidence et mesuree a l'aide, essentiellement, de la diffraction d'une onde rx plane ou pseudo-plane. Etude de la sensibilite de la methode a un etalement de l'interface en fonction de l'epaisseur de la couche et de son desaccord avec le support. Simulation sur ordinateur du profil de reflexion des jonctions abruptes et etalees. Application a divers echantillons et au cas des structures multicouches et des superreseaux

  • Titre traduit

    Strains in heterostructures epitactically grow on iii-v semiconducting substrates : experimental study by x-ray diffraction and computer simulation


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Informations

  • Détails : 205 P.
  • Annexes : 72 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Consultable sur place dans l'établissement demandeur
  • Cote : T Paris 6 1986 374
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1986
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