Deformations dans les heterostructures epitaxiees sur des substrats semiconducteurs iii-v : etude experimentale par diffraction de rayons x et simulation sur ordinateur

Strains in heterostructures epitactically grow on iii-v semiconducting substrates : experimental study by x-ray diffraction and computer simulation

• Auteur / Autrice : SERGE BENSOUSSAN
• Direction : MICHELE SAUVAGE-SIMKIN
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Paris 6

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Couche mince

Epitaxie

Heteroepitaxie

Compose iii-v

Etude experimentale

Diffraction rx

Etude theorique

Simulation ordinateur

Superreseau

Couche multiple

Theorie dynamique

Rayonnement synchrotron

Spectrometrie sims

Heterojonction

Deformation elastique

Interface solide solide

Aluminium gallium arseniure mixte

Thin film

Epitaxy

Heteroepitaxy

Iii-v compound

Experimental study

X ray diffraction

Theoretical study

Computer simulation

Superlattice

Multiple layer

Dynamic theory

Synchrotron radiation

Secondary ion mass spectrometry

Heterojunction

Elastic deformation

Solid solid interface

Aluminium gallium arsenides mixed

Résumé

La distribution de deformation a l'interface entre une couche epitaxique d'un compose tertiaire (arseniure de al et ga par exemple) et un support semiconducteur iii-v a pu etre mise en evidence et mesuree a l'aide, essentiellement, de la diffraction d'une onde rx plane ou pseudo-plane. Etude de la sensibilite de la methode a un etalement de l'interface en fonction de l'epaisseur de la couche et de son desaccord avec le support. Simulation sur ordinateur du profil de reflexion des jonctions abruptes et etalees. Application a divers echantillons et au cas des structures multicouches et des superreseaux