Croissance et caractérisation de couches de Ga₁₋ₓAlₓAs par épitaxie en phase vapeur par organométalliques pour applications photovoltaïques

par Kouamé N'Guessan

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Pierre Gibart.

Soutenue en 1986

à Nice .


  • Résumé

    Caractérisation des couches par spectrométrie SIMS, microsonde électronique, diffusion Raman et mesure du paramètre cristallin. Etude du dopage sn par spectrométrie Moessbauer

  • Titre traduit

    Organometallic vapor phase epitaxy ga::(1-x)al::(x)as thin film growth and characterization. Photovoltaic applications


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  • Détails : 1 vol. (160 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 155-157. Résumé en français

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