Épitaxie des alliages Ge₁₋ₓ Siₓ sur silicium et sur arsenure de gallium par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma

par Jean-Marc Siffre

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de J. Richard.

Soutenue en 1986

à Nice .


  • Résumé

    Étude de 3 types de méthodes de dépôt. Discussion sur les cinétiques de croissance sur la composition des couches. Caractérisation électrique

  • Titre traduit

    Plasma-enhanced chemical vapor deposition epitaxy of Ge₁₋ₓ Siₓ alloys on si and gaas


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Informations

  • Détails : 1 vol. (95 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 92-95. Résumé en français

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  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Bibliothèque Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 86NICE4008
  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Bibliothèque Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 86NICE4008BIS
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