Incidence de la technologie de diffusion soufre sur les propriétés photoélectriques de jonctions n+/p InP

par Blaise Maloumbi

Thèse de doctorat en Composants électroniques et optiques

Sous la direction de Michel Savelli.

Soutenue en 1986

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    On decrit les effets de la diffusion du soufre a 700**(o)c dans inp dope zn en caracterisant successivement le substrat soumis au traitement thermique de diffusion, la couche diffusee n**(+), la jonction resultante. On constate un accroissement de la densite de trous, la degradation des proprietes photoelectriques et de luminescence apres le traitement thermique du substrat. L'etude de la couche diffusee montre que la diffusion ne suit pas la loi classique en erfc; des densites d'electrons en surface aussi elevees que 10**(19-3) cm sont atteintes. Des jonctions n**(+)/p de tres bonne qualite ont ete obtenues, leurs proprietes photoelectriques sont discutees

  • Titre traduit

    Effects of sulfur diffusion technology on the photoelectrical properties of n**(+)/p inp


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  • Détails : [2], 109, [2] f
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