Thermodynamique des alliages Ga-In-As-Sb et application à la réalisation des structures émettrices de lumière à base GaSb

par Fouad Karouta

Thèse de doctorat en Sciences

Sous la direction de CLAUDE ALIBERT.

Soutenue en 1986

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    Les alliages semiconducteurs ga-in-as-sb permettent la fabrication des dispositifs optoelectroniques emettant a plus de 2 mu m. Le diagramme d'equilibre des phases a ete etudie theoriquement et experimentalement. Une etude par exafs des alliages gaas::(y) sb::(1-y) a montre une distribution bimodale des premiers (as,sb) et des deuxiemes voisins (ga) par rapport au gallium. Les conditions de croissance par epitaxie en phase liquide d'alliages ga::(1-x) in::(x) as::(y) sb::(1-y) a parametre de maille accorde sur support gasb ont ete definies. Des doubles heterostructures gasb/ gainassb/ gasb/ gasb et gaalassb/ gainassb/ gaalassb/ gasb ont ete preparees permettant ainsi l'elaboration d'une diode electroluminescente emettant a 2. 2mu m

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  • Détails : [2], iv, 151 p., [8] f. de pl. photogr. et photomicrogr
  • Annexes : Notes bibliogr

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