Élaboration de l'alliage ternaire Ga1

par Alain Foucaran

Thèse de doctorat en Composants électroniques et optiques

Sous la direction de GEORGES BOUGNOT.

Soutenue en 1986

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    En partant de substrats de gasb (100) et (111) et de ga as (100), on a fait croitre epitaxialement des couches de ga insb a partir de trimethyl gallium, de trimethyl antimoine et de tricthyl indium. L'etude de la morphologie et de la composition des couches epitaxiees de gainsb a ete menee en fonction des parametres de fabrication. Des modeles theoriques rendant compte des faits experimentaux sont proposes. On presente les resultats des caracterisations electriques et optiques. (transmissions, reflexion, photoluminescence et reponse spectrale)

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Informations

  • Détails : [3], 163, [4] f
  • Annexes : Notes bibliogr. - Dans la formule du titre, les "x" sont souscrits

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  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 86.MON-129
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