Caractérisation optique des défauts induits par irradiation électronique dans InP

par Dalar Bayaa

Thèse de doctorat en "Milieux denses et matériaux. Physique du solide. Application à l""électronique"

Sous la direction de GERARD BASTIDE.

Soutenue en 1986

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    Etude des facteurs d'absorption associes aux transitions bande de valence defaut ou bande de conduction defaut des niveaux h::(3), h::(4), h::(5), h::(7) et e::(11) dans inp irradie aux electrons. L'interpretation par diagrammes de coordonnee de configuration montre qu'apres capture d'un porteur libre, la relaxation de reseau decroit de h::(7) a h::(5) et a l'ensemble h::(3)-h::(4)-e::(11). Les absorptions associees a la transition bande de valence -h::(3) et bande de valence -h::(4) ont une variation spectrale singuliere attribuee a un transfert de "trou" vers les 4 minimas equivalents en l de la bande de valence. Cette similitude de proprietes est en accord avec l'hypothese selon laquelle le passage de h::(3) a h::(4) correspondrait a une faible perturbation d'un meme defaut ponctuel v::(p) - p::(i) ou v::(p) - x

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  • Détails : 140, [3] f

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  • Cote : TS 86.MON-66
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