Implantation ionique d'accepteurs dans le phosphure d'indium : caracterisation physico-chimiques et electriques

par Jean-Michel Roquais

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de RENE GRANGER.

Soutenue en 1986

à l'INSA RENNES .

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  • Résumé

    Etude du dopage p**(+) dans inp par implantation d'accepteurs peu profonds: be, mg, zn, hg. Caracterisation du desordre cree par diffusion raman; etude au degre de recristallisation apres recuit d'implantation. Etude par emission photoelectronique rx d'une contamination de surface. Determination de profils d'impuretes. Les profils de concentration de porteurs ont ete analyses par effet hall et mesures electrochimiques. Etude du coefficient de diffusion du zinc par la methode de boltzmann-matano


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  • Détails : 276 P.

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