Etudes spectroscopiques des donneurs thermiques generes dans du silicium

par ANNE HENRY

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de ) SAMINADAYAR.

Soutenue en 1986

à Grenoble 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Etude par absorption ir et spectrometrie d'admittance des deux types de defauts crees par recuit entre 400 et 700**(o)c de si riche en oxygene. On determine les energies d'ionisation de ces donneurs ainsi que la cinetique de creation; le role de l'histoire thermique du cristal a ete souligne. Des experiences d'irradiation aux electrons permettent de preciser les mecanismes de formation de ces defauts. Pour les defauts cristallins obtenus par recuit a 600**(o)c, un modele est propose, reposant sur les proprietes des precipites d'oxygene et de l'interface si/sio::(2)


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  • Détails : 183 P.
  • Annexes : 93 REF

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