Oxydation du silicium poreux : application à la réalisation de structures silicium sur isolant

par Jean-Jacques Yon

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de R. HERINO.

Soutenue en 1986

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

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  • Résumé

    Des structures silicium sur isolant (soi) peuvent etre obtenues a partir de silicium poreux a condition de controler l'oxydation thermique du materiau. Ce memoire est consacre a l'etude de l'oxydation du silicium poreux. Ce travail a permis de fixer les conditions experimentales conduisant a la formation reproductible de couches de silicium poreux homogenes. L'etude detaillee de l'oxydation de ce materiau a permis de degager un mecanisme phenomenologique qui rend compte de la transformation du silicium poreux en oxyde aux proprietes identiques a celles de la silice classique. Le mecanisme procede par une oxydation chimique couplee a une densification, tres activee en temperature, de la silice. Ces resultats ont ete appliques a la realisation de structures soi


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  • Détails : iv, 134 p

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 86/GRE1/0028
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