Contribution à la compréhension et à la modélisation des phénomènes d'injection de porteurs chauds dans les dispositifs MOS submicroniques

par Antoine Pavlin

Thèse de doctorat en Sciences. Électronique. Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Pierre Viktorovitch.

Soutenue en 1986

à l'Ecully, Ecole centrale de Lyon .


  • Résumé

    Mise au point d'un modele analytique en accord avec les resultats experimentaux pour la simulation du courant injecte. Les mesures ont amene a justifier un comportement contradictoire de la variation des porteurs chauds par le caractere de microrugosite de l'interface si-sio::(2)

  • Titre traduit

    Contribution to the understanding and modelling of the hot carrier injection phenomenon in submicron mos devices


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Informations

  • Détails : 1 vol. [230 p.]
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : 53 réf.

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  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T1273
  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
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