Modélisation bidimensionnelle de dispositifs semiconducteurs de puissance en blocage à haute tension : conception assistée par ordinateur pour l'étude de leur périphérie

par Jean-Paul Gourret

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jean Paillé.

Soutenue en 1986

à Aix-Marseille 3 , en partenariat avec Université Paul Cézanne. Faculté des sciences et techniques de Saint-Jérôme (Aix-Marseille) (autre partenaire) .

mots clés

Résumé

Elaboration d'un logiciel de simulation numerique permettant d'analyser le comportement des dispositifs de puissance en regime de polarisation inverse au voisinage du blocage, pour differents types de structures, planar ou mesa. Developpement d'une methode de differences finies utilisant un algorithme de maillage automatique et un algorithme de caracterisation des points d'un milieu heterogene discontinu

Titre traduit

A two-dimensional modelling of power semiconductor devices under high-voltage slocking conditions. Computer aided design and peripheral structure analysis

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