Modélisation bidimensionnelle de dispositifs semiconducteurs de puissance en blocage à haute tension : conception assistée par ordinateur pour l'étude de leur périphérie

par Jean-Paul Gourret

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jean Paillé.

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Elaboration d'un logiciel de simulation numerique permettant d'analyser le comportement des dispositifs de puissance en regime de polarisation inverse au voisinage du blocage, pour differents types de structures, planar ou mesa. Developpement d'une methode de differences finies utilisant un algorithme de maillage automatique et un algorithme de caracterisation des points d'un milieu heterogene discontinu


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Informations

  • Détails : 155 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 147-153

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T 1126
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