Conception, réalisation et caractérisation d'un transistor à hétérojonction GaAs/GaAlAs

par Muriel Riet

Thèse de doctorat en Sciences appliquées. Électronique

Sous la direction de Directeur de thèse inconnu.

Soutenue en 1985

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Cette thèse présente un des premiers transistors à hétérojonction GaAs/GaAlAs réalisé par la méthode de croissance épitaxiale aux organométalliques. Les principales étapes de ce travail sont les suivantes : - structure de la couche épitaxiée, - dessin des masques, - réalisation technologique du transistor, - sa caractérisation et ses performances, - sa modélisation, - son schéma équivalent pour conception assistée par ordinateur. Cet exposé s'achève par un bilan de l'étude où sont envisagées les potentialités de ce nouveau transistor et la suite éventuelle à donner à ce travail.

  • Titre traduit

    Design, realization and characterization of GaAs-GaAlAs heterojunction transistor


  • Résumé

    This thesis deals with the design and fabrication of 1 μm GaAs/GaAlAs modulation-doped field-effect transistors using MO-CVD heterolayers. The principal steps of this work are: - composition of the heterostructure, - lay-out of the test patterns, - transistor fabrication process, - physical transistor model, - CAD equivalent circuit of the modulation-doped field-effect transistor. This paper ends with an evaluation of the study where the potentialities of this new device and the possible continuation of this work are considered.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (190 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr., 5 p. (46 réf.)

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1985)126
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-033954
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